CS1半导体型
   圆片瓷介电容器
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CS1型3类瓷介电容器



●  气候类别:25/085/21
●  可按军品供货
●  特点:体积小、电容量大、截止频率高、温度特性优良。
●  用途:作超高频、宽频带旁路电容器及耦合电容器或使用于对损耗角正切、绝缘电阻要求不高的电路中。

 

温度特性及型号示例:


● 尺寸及引线形式示意

CS1半导体型圆片瓷介电容器(Class Ⅲ)

特性:
大容量、小体积
适用于绝缘电阻低的低阻抗电路
常规性能
工作温度范围 -25℃ to+85℃
电容量 在 1KHz±20%,0.1±0.01Vrms 下测试,容量在允许偏差范围内
Within the Specified Tolerance at 1KHz±20%,0.1±0.01Vrms
电容量公差 K:±10%,M:±20%, Z:+80-20%
损耗(DF) Y5P:DF≤3.5%, Y5U:DF≤5.0%,
Y5V:DF≤7.5% at 1KHz±20%,0.1±0.01Vrms
额定电压(U R ) 16V,25V,50V
耐电压 1.5UR for2 to 5S(Charge/Discharge current≤50mA)
绝缘电阻 (IR) 16V:100MΩ or 10 MΩuF 1 minute electrification
25V、50V:1000MΩ or 20 MΩuF 1 minute electrification

电容量规格

额定电压

电容量(pF)

外形尺寸(mm)

温度特性

DC

Y5P(B)

Y5U(E)

Y5V(F)

D

F ±1.0

16V


100000

100000

05

2.5

or

5.0


06



220000

08

25V



40000 ~ 47000

04

10000

40000 ~ 47000

50000 ~ 68000

05

15000 ~ 27000


100000

06

33000 ~ 47000

82000 ~ 100000


07

47000 ~ 68000

150000


08


220000

220000

09

82000 ~ 100000



10

50V



10000 ~ 22000

04

10000 ~ 15000

10000 ~ 33000

33000 ~ 47000

05

18000 ~ 27000

40000 ~ 47000

50000 ~ 68000

06


82000 ~ 100000

100000

07

33000 ~ 68000



08



220000

09

100000



12


注:100V 以上产品可根据顾客要求提供

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